Name: SCT019H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019H120G3AG-ND
Price: 9.4047 CHF
Availability: OutOfStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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SCT019H120G3AG
Numéro de produit DigiKey	497-SCT019H120G3AG-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT019H120G3AG
Description	SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Montage en surface HU3PAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,2V à 2,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	121 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+18V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3465 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	555W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	HU3PAK
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA

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