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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCTW100N65G2AG |
Description | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Trou traversant HiP247™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SCTW100N65G2AG Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 26mohms à 50A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5V à 5mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 162 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +22V, -10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3315 pF @ 520 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 420W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | HiP247™ | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
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