
SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCTW100N65G2AG |
Description | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Trou traversant HiP247™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SCTW100N65G2AG Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 26mohms à 50A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5V à 5mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 162 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +22V, -10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3315 pF @ 520 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 420W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | HiP247™ | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 27.59000 | Fr. 27.59 |
| 30 | Fr. 18.19100 | Fr. 545.73 |
| 120 | Fr. 18.00000 | Fr. 2’160.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 27.59000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 29.82479 |







