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SCTW35N65G2V est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SCTW35N65G2V | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-SCTW35N65G2V-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCTW35N65G2V |
Description | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 45 A (Tc) 240W (Tc) Trou traversant HiP247™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SCTW35N65G2V Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 73 nC @ 20 V |
Fabricant | Vgs (max.) +22V, -10V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1370 pF @ 400 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 240W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Trou traversant |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V, 20V | Boîtier fournisseur HiP247™ |
Rds On (max.) à Id, Vgs 67mohms à 20A, 20V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 318 | MSC060SMA070B-ND | Fr. 4.35000 | Similaire |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | Fr. 12.10000 | Similaire |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | Fr. 9.55000 | Similaire |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | Fr. 8.42000 | Similaire |
Obsolète
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