Name: SCTW40N120G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW40N120G2VAG-ND
Price: 14.87456 CHF
Availability: InStock

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SCTW40N120G2VAG
Numéro de produit DigiKey	497-SCTW40N120G2VAG-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTW40N120G2VAG
Description	SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 33 A (Tc) 290W (Tc) Trou traversant HiP247™
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	105mohms à 20A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1230 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	290W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	HiP247™
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCTW40

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 13.76000	Fr. 13.76
30	Fr. 8.53433	Fr. 256.03
120	Fr. 7.47058	Fr. 896.47

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.