Canal N 1200 V 45 A (Tc) 270W (Tc) Trou traversant HiP247™ broches longues
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Canal N 1200 V 45 A (Tc) 270W (Tc) Trou traversant HiP247™ broches longues
TO-247-3

SCTWA30N120

Numéro de produit DigiKey
SCTWA30N120-ND
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
SCTWA30N120
Description
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 45 A (Tc) 270W (Tc) Trou traversant HiP247™ broches longues
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SCTWA30N120 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
45 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
100mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 1mA (typ.)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1700 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
HiP247™ broches longues
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCTWA30
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