Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 15.28534 CHF
Availability: InStock

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SCTWA60N120G2-4
Numéro de produit DigiKey	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTWA60N120G2-4
Description	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTWA60N120G2-4 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	52mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1969 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	388W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4

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Date de dernière disponibilité : 15/02/2026

Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 14.14000	Fr. 14.14
10	Fr. 11.23800	Fr. 112.38
30	Fr. 10.39133	Fr. 311.74
120	Fr. 9.63467	Fr. 1’156.16
270	Fr. 9.31100	Fr. 2’513.97
510	Fr. 9.10400	Fr. 4’643.04

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.