Name: STB26NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10985-2-ND
Price: 7.05893 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STB26NM60N
Numéro de produit DigiKey	497-10985-2-ND - Bande et bobine 497-10985-1-ND - Bande coupée (CT) 497-10985-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB26NM60N
Description	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 20 A (Tc) 140W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB26NM60N Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V
Série MDmesh™ II	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 140W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base STB26
Rds On (max.) à Id, Vgs 165mohms à 10A, 10V