Name: STB34NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-12237-2-ND
Price: 9.50199 CHF
Availability: InStock

Canal N 600 V 29 A (Tc) 190W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)

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STB34NM60ND
Numéro de produit DigiKey	497-12237-2-ND - Bande et bobine 497-12237-1-ND - Bande coupée (CT) 497-12237-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB34NM60ND
Description	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 29 A (Tc) 190W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB34NM60ND Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80.4 nC @ 10 V
Série FDmesh™ II	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2785 pF @ 50 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Dissipation de puissance (max.) 190W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base STB34
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 14,5A, 10V

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Substituts (9)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
STB35N60DM2	STMicroelectronics	0	497-16357-1-ND	Fr. 5.02000	Recommandation fabricant
FCB110N65F	onsemi	651	FCB110N65FCT-ND	Fr. 6.48000	Similaire
IPB60R099C6ATMA1	Infineon Technologies	3’220	IPB60R099C6ATMA1CT-ND	Fr. 6.22000	Similaire
IPB60R099CPAATMA1	Infineon Technologies	129	448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND	Fr. 7.71000	Similaire
IPB60R099CPATMA1	Infineon Technologies	519	IPB60R099CPATMA1CT-ND	Fr. 7.16000	Similaire

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