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Substituts disponibles:
Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
STH110N7F6-2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | STH110N7F6-2-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STH110N7F6-2 |
Description | MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 68 V 80 A (Tc) 176W (Tc) Montage en surface H2PAK-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STH110N7F6-2 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 68 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 6,3mohms à 55A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 5850 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 176W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | H2PAK-2 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
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