Name: STH200N10WF7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH200N10WF7-2TR-ND
Price: 5.70768 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STH200N10WF7-2
Numéro de produit DigiKey	497-STH200N10WF7-2TR-ND - Bande et bobine 497-STH200N10WF7-2CT-ND - Bande coupée (CT) 497-STH200N10WF7-2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STH200N10WF7-2
Description	MOSTFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180 A (Tc) 340W (Tc) Montage en surface H2PAK-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4mohms à 90A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4430 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	340W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	H2PAK-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB