Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 5.68606 USD
Availability: InStock

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STH2N120K5-2AG
Numéro de produit DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Bande et bobine 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Bande coupée (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STH2N120K5-2AG
Description	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 1,5 A (Tc) 60W (Tc) Montage en surface H2PAK-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STH2N120K5-2AG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	124 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	H2PAK-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	STH2N120