STL4P2UH7 STMicroelectronics | Produits semi-conducteurs discrets

STL4P2UH7 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : Fr. 0.30000

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STL4P2UH7
Numéro de produit DigiKey	497-14996-2-ND - Bande et bobine
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STL4P2UH7
Description	MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 4 A (Tc) 2,4W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STL4P2UH7 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	DeepGATE™, STripFET™ VII
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	510 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,4W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerFlat™ (2x2)
Boîtier	6-PowerWDFN
Numéro de produit de base	STL4