STP10NM65N STMicroelectronics | Produits semi-conducteurs discrets

STP10NM65N est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : Fr. 3.96000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STP10NM65N
Numéro de produit DigiKey	497-7499-5-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STP10NM65N
Description	MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 9 A (Tc) 90W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™ II
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	480mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	850 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	90W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	STP10