Canal N 800 V 3 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-251 (IPAK)
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STU4N80K5

Numéro de produit DigiKey
497-14578-5-ND
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STU4N80K5
Description
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 3 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-251 (IPAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STU4N80K5 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
SuperMESH5™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,5ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
175 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-251 (IPAK)
Boîtier
TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
Numéro de produit de base
STU4N80
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