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Canal N 30 V 19 A (Tc) 2,7W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STS19N3LLH6

Numéro de produit DigiKey
497-12677-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
STS19N3LLH6
Description
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 19 A (Tc) 2,7W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,6mohms à 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
17 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1690 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,7W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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