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Canal N 650 V 60 A (Tc) 446W (Tc) Trou traversant TO-247-3
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STW63N65DM2

Numéro de produit DigiKey
STW63N65DM2-ND
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STW63N65DM2
Description
MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 60 A (Tc) 446W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STW63N65DM2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
MDmesh™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
50mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5500 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
446W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-3
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW63
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
600Fr. 4.65340Fr. 2’792.04
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 4.65340
Prix unitaire avec TVA:Fr. 5.03033