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ES1J-T | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1801-ES1J-TTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ES1J-T |
Description | DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 600 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 35 ns |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 600 V |
Statut du composant Actif | Capacité à Vr, F 18pF à 4V, 1MHz |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 600 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.7 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1J | Taiwan Semiconductor Corporation | 20’104 | 1801-ES1JCT-ND | Fr. 0.36000 | Équivalent paramétrique |
| ES1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | ES1JR3GTR-ND | Fr. 0.00000 | Équivalent paramétrique |
| ES1JH | Taiwan Semiconductor Corporation | 4’180 | 1801-ES1JHCT-ND | Fr. 0.36000 | Équivalent paramétrique |
| ES1JHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | ES1JHR3G-ND | Fr. 0.00000 | Équivalent paramétrique |
| ES1LJ R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | ES1LJR3G-ND | Fr. 0.00000 | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 7’500 | Fr. 0.04460 | Fr. 334.50 |
| 15’000 | Fr. 0.04055 | Fr. 608.25 |
| 22’500 | Fr. 0.03848 | Fr. 865.80 |
| 37’500 | Fr. 0.03791 | Fr. 1’421.62 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.04460 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.04821 |










