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TSM60NB190CI C0G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Équivalent paramétrique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TSM60NB190CI C0G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | TSM60NB190CIC0G-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TSM60NB190CI C0G |
Description | MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 18 A (Tc) 33,8W (Tc) Trou traversant ITO-220AB |
Modèles EDA/CAO | TSM60NB190CI C0G Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1273 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 33,8W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur ITO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 6A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NB190CI | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NB190CI-ND | Fr. 3.89026 | Équivalent paramétrique |
Obsolète
