Name: CSD17576Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD17576Q5BTTR-ND
Price: 1.64312 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

CSD17576Q5BT
Numéro de produit DigiKey	296-CSD17576Q5BTTR-ND - Bande et bobine 296-CSD17576Q5BTCT-ND - Bande coupée (CT) 296-CSD17576Q5BTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD17576Q5BT
Description	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 100 A (Ta) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface 8-VSONP (5x6)
cms-datasheet	cms-datasheet
Modèles EDA/CAO	CSD17576Q5BT Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Texas Instruments
Série	NexFET™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	32 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4430 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,1W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-VSONP (5x6)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	CSD17576Q5