Name: CSD19532KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-43211-2-ND
Price: 3.57811 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

CSD19532KTTT
Numéro de produit DigiKey	296-43211-2-ND - Bande et bobine 296-43211-1-ND - Bande coupée (CT) 296-43211-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD19532KTTT
Description	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 200 A (Ta) 250W (Tc) Montage en surface TO-263 (DDPAK-3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD19532KTTT Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,2V à 250µA
Fabricant Texas Instruments	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57 nC @ 10 V
Série NexFET™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5060 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (DDPAK-3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A (Ta)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base CSD19532
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,6mohms à 90A, 10V