Name: CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44351-2-ND
Price: 1.27558 CHF
Availability: InStock

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CSD19537Q3
Numéro de produit DigiKey	296-44351-2-ND - Bande et bobine 296-44351-1-ND - Bande coupée (CT) 296-44351-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD19537Q3
Description	MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 50 A (Ta) 2,8W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD19537Q3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Texas Instruments
Série	NexFET™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,5mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,6V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1680 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,8W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	CSD19537