Name: CSD19538Q2R
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19538Q2RTR-ND
Price: 0.24023 CHF
Availability: OutOfStock

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CSD19538Q2R
Numéro de produit DigiKey	296-CSD19538Q2RTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD19538Q2R
Description	100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 4,6A (Ta), 13,1A (Tc) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) Montage en surface 6-WSON (2x2)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Texas Instruments
Série	NexFET™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,6A (Ta), 13,1A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	59mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	454 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 20,2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-WSON (2x2)
Boîtier	6-WDFN plot exposé