IRF6636TR1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IRF6636TR1
Numéro de produit DigiKey	IRF6636TR1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF6636TR1
Description	MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 18 A (Ta), 81 A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ ST
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Ta), 81 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,5mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,45V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	27 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2420 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,2W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DIRECTFET™ ST
Boîtier	DirectFET™ Isometric ST