Name: GT50N322A
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50N322A-ND
Price: 4.78883 CHF
Availability: InStock

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GT50N322A
Numéro de produit DigiKey	264-GT50N322A-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	GT50N322A
Description	IGBT 1000V 50A TO-3P
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT 1000 V 50 A 156 W Trou traversant TO-3P(N)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT IGBT simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Type d'IGBT	-
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1000 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	50 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm)	120 A
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,8V à 15V, 60A
Puissance - Max.	156 W
Énergie de commutation	-
Type d'entrée	Standard
Td (on/off) à 25°C	-
Condition de test	-
Temps de recouvrement inverse (trr)	800 ns
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3
Boîtier fournisseur	TO-3P(N)

Product Questions and Answers

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.43000	Fr. 4.43
50	Fr. 2.32940	Fr. 116.47
100	Fr. 2.12660	Fr. 212.66
500	Fr. 1.77114	Fr. 885.57
1’000	Fr. 1.75000	Fr. 1’750.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.