MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Produits semi-conducteurs discrets

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MT3S111TU,LF
Numéro de produit DigiKey	MT3S111TULFTR-ND - Bande et bobine MT3S111TULFCT-ND - Bande coupée (CT) MT3S111TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	MT3S111TU,LF
Description	RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Référence client
Description détaillée	RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Montage en surface UFM
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors RF bipolaires
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de transistor	NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	6V
Fréquence - Transition	10GHz
Facteur de bruit (dB typ. à f)	0,6dB ~ 0,85dB à 500MHz ~ 1GHz
Gain	12,5dB
Puissance - Max.	800mW
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	200 à 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	3-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur	UFM
Numéro de produit de base	MT3S111

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Quantité

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Bande et bobine