MT3S20P(TE12L,F) est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 8’540
Prix unitaire : Fr. 0.21000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 8’825
Prix unitaire : Fr. 0.35000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 637
Prix unitaire : Fr. 0.36000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 16’429
Prix unitaire : Fr. 0.40000
Fiche technique
2SA2070(TE12L,F)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

MT3S20P(TE12L,F)

Numéro de produit DigiKey
MT3S20P(TE12LF)TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
MT3S20P(TE12L,F)
Description
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Référence client
Description détaillée
RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1,8W Montage en surface PW-MINI
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de transistor
NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
12V
Fréquence - Transition
7GHz
Facteur de bruit (dB typ. à f)
1,45dB à 1GHz
Gain
16,5dB
Puissance - Max.
1,8W
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
100 à 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
80mA
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-243AA
Boîtier fournisseur
PW-MINI
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.