Name: RN1102MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1102MFVL3FTR-ND
Price: 0.18377 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RN1102MFV,L3F
Numéro de produit DigiKey	RN1102MFVL3FTR-ND - Bande et bobine RN1102MFVL3FCT-ND - Bande coupée (CT) RN1102MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	RN1102MFV,L3F
Description	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 150 mW Montage en surface VESM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RN1102MFV,L3F Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires prépolarisés, simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	NPN - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50 V
Résistances incluses	R1 et R2
Résistance - Base (R1)	10 kOhms
Résistance - Base d'émetteur (R2)	10 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	50 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	300mV à 500µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	500nA
Puissance - Max.	150 mW
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-723
Boîtier fournisseur	VESM
Numéro de produit de base	RN1102

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 20’171

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine