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Équivalent paramétrique

RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 2’207
Prix unitaire : Fr. 0.15000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

RN1404,LXHF
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 29’980
Prix unitaire : Fr. 0.25000
Fiche technique

Direct

MMUN2213LT1G
onsemi
En stock: 418
Prix unitaire : Fr. 0.12000
Fiche technique

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DRC2144E0L
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En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.18000
Fiche technique

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En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.03382
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MUN2213T1G
onsemi
En stock: 3’180
Prix unitaire : Fr. 0.15000
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SMMUN2213LT1G
onsemi
En stock: 301
Prix unitaire : Fr. 0.14000
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SMMUN2213LT3G
onsemi
En stock: 4’092
Prix unitaire : Fr. 0.19000
Fiche technique

Similaire

SMUN2213T1G
onsemi
En stock: 29’890
Prix unitaire : Fr. 0.16000
Fiche technique
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SOT-23-3
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RN1404S,LF

Numéro de produit DigiKey
RN1404SLFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
RN1404S,LF
Description
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montage en surface S-mini
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de transistor
NPN - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
50 V
Résistances incluses
R1 et R2
Résistance - Base (R1)
47 kOhms
Résistance - Base d'émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
80 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
300mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max.
200 mW
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Boîtier fournisseur
S-mini
Numéro de produit de base
RN1404
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