RN1905(T5L,F,T) est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 3’976
Prix unitaire : Fr. 0.18000
Fiche technique

Équivalent paramétrique


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 3’000
Prix unitaire : Fr. 0.40000
Fiche technique

Direct


onsemi
En stock: 41’792
Prix unitaire : Fr. 0.18000
Fiche technique

Mise à niveau


Diodes Incorporated
En stock: 61’612
Prix unitaire : Fr. 0.22000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.06931
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 3’000
Prix unitaire : Fr. 0.24000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 206
Prix unitaire : Fr. 0.22000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 32
Prix unitaire : Fr. 0.26000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.19000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 2’850
Prix unitaire : Fr. 0.24000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.19000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 1’868
Prix unitaire : Fr. 0.22000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 9’305
Prix unitaire : Fr. 0.24000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 18’701
Prix unitaire : Fr. 0.22000
Fiche technique
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RN1905(T5L,F,T)

Numéro de produit DigiKey
RN1905(T5LFT)TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
RN1905(T5L,F,T)
Description
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 2 NPN - Prépolarisé (double) 50V 100mA 250MHz 200mW Montage en surface US6
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RN1905(T5L,F,T) Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de transistor
2 NPN - Prépolarisé (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
50V
Résistance - Base (R1)
2,2kohms
Résistance - Base d'émetteur (R2)
47kohms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
80 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
300mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max.
200mW
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur
US6
Numéro de produit de base
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