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ES6
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RN1911FETE85LF

Numéro de produit DigiKey
RN1911FETE85LFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
RN1911FETE85LF
Description
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 2 NPN - Prépolarisé (double) 50V 100mA 250MHz 100mW Montage en surface ES6
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de transistor
2 NPN - Prépolarisé (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
50V
Résistance - Base (R1)
10kohms
Résistance - Base d'émetteur (R2)
-
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
120 à 1mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
300mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100 nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max.
100mW
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
RN1911
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