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Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

RN2404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.02245
Fiche technique

Équivalent paramétrique

RN2404,LXGF
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

RN2404,LXHF
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 6’000
Prix unitaire : Fr. 0.05019
Fiche technique

Direct

MMUN2113LT1G
onsemi
En stock: 7’508
Prix unitaire : Fr. 0.13000
Fiche technique

Mise à niveau

BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies
En stock: 26’491
Prix unitaire : Fr. 0.19000
Fiche technique

Mise à niveau

PDTA144ET,215
Nexperia USA Inc.
En stock: 3
Prix unitaire : Fr. 0.15000
Fiche technique

Mise à niveau

PDTA144ET,235
Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.15000
Fiche technique

Similaire

DDTA144ECA-7-F
Diodes Incorporated
En stock: 8’587
Prix unitaire : Fr. 0.18000
Fiche technique

Similaire

DDTA144WCA-7-F
Diodes Incorporated
En stock: 6’000
Prix unitaire : Fr. 0.16000
Fiche technique

Similaire

DRA2144E0L
Panasonic Electronic Components
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.18000

Similaire

DRA2144W0L
Panasonic Electronic Components
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.04990

Similaire

DTA114EKAT146
Rohm Semiconductor
En stock: 5’567
Prix unitaire : Fr. 0.18000
Fiche technique

Similaire

DTA115EKAT146
Rohm Semiconductor
En stock: 46’318
Prix unitaire : Fr. 0.18000
Fiche technique

Similaire

DTA123EKAT146
Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.20000
Fiche technique
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SOT-23-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RN2404TE85LF

Numéro de produit DigiKey
RN2404TE85LFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
RN2404TE85LF
Description
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés PNP - Prépolarisé 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Montage en surface S-mini
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de transistor
PNP - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
50 V
Résistances incluses
R1 et R2
Résistance - Base (R1)
47 kOhms
Résistance - Base d'émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
80 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
300mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
200 MHz
Puissance - Max.
200 mW
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Boîtier fournisseur
S-mini
Numéro de produit de base
RN2404
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