Name: SSM3J112TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J112TU,LFTR-ND
Price: 0.39997 CHF
Availability: InStock

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SSM3J112TU,LF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3J112TU,LFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3J112TU,LFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM3J112TU,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J112TU,LF
Description	MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 1,1 A (Ta) 800mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3J112TU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	390mohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 100µA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	86 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	800mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	UFM
Boîtier	3-SMD, broches plates
Numéro de produit de base	SSM3J112

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