Name: SSM3J117TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J117TULFTR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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SSM3J117TU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM3J117TULFTR-ND - Bande et bobine SSM3J117TULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3J117TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J117TU,LF
Description	MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3J117TU,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 117mohms à 1A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 1mA
Série U-MOSII	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 280 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 150°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur UFM
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Ta)	Boîtier 3-SMD, broches plates
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V	Numéro de produit de base SSM3J117

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Documents et supports

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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