Name: SSM3J168F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J168FLFTR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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SSM3J168F,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM3J168FLFTR-ND - Bande et bobine SSM3J168FLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3J168FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J168F,LF
Description	MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 400mA (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3J168F,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3 nC @ 10 V
Série U-MOSVI	Vgs (max.) +20V, -16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 82 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 150°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 400mA (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V	Numéro de produit de base SSM3J168
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,9ohms à 100mA, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.42000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.45402

SSM3J168F,LF