Name: SSM3J35MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35MFVL3FTR-ND
Price: 0.18377 CHF
Availability: InStock

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SSM3J35MFV,L3F
Numéro de produit DigiKey	SSM3J35MFVL3FTR-ND - Bande et bobine SSM3J35MFVL3FCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3J35MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J35MFV,L3F
Description	MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montage en surface VESM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3J35MFV,L3F Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 8ohms à 50mA, 4V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12.2 pF @ 3 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 150mW (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de FET Canal P	Type de montage Montage en surface
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Boîtier fournisseur VESM
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier SOT-723
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100mA (Ta)	Numéro de produit de base SSM3J35

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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