Name: SSM3J66MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND
Price: 0.28106 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SSM3J66MFV,L3F
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3J66MFV,L3FCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM3J66MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J66MFV,L3F
Description	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Montage en surface VESM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3J66MFV,L3F Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	800mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,2V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	390mohms à 800mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	+6V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	100 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	VESM
Boîtier	SOT-723
Numéro de produit de base	SSM3J66