Name: SSM3K121TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K121TULFTR-ND
Price: 0.11439 CHF
Availability: InStock

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SSM3K121TU,LF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3K121TULFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K121TU,LF
Description	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.9 nC @ 4 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 400 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2 A (Ta)	Boîtier fournisseur UFM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4V	Boîtier 3-SMD, broches plates
Rds On (max.) à Id, Vgs 48mohms à 2A, 4V

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Bande et bobine