Name: SSM3K341TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K341TU,LXHFTR-ND
Price: 0.6486 CHF
Availability: InStock

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SSM3K341TU,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3K341TU,LXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3K341TU,LXHFCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K341TU,LXHF
Description	AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 6 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	36mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	550 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	UFM
Boîtier	3-SMD, broches plates

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En stock: 9’909

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Quantité

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Bande coupée (CT)

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 0.60000	Fr. 0.60
10	Fr. 0.42900	Fr. 4.29
100	Fr. 0.29300	Fr. 29.30
500	Fr. 0.23796	Fr. 118.98
1’000	Fr. 0.21493	Fr. 214.93

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3’000	Fr. 0.18011	Fr. 540.33
6’000	Fr. 0.16582	Fr. 994.92
9’000	Fr. 0.15259	Fr. 1’373.31
15’000	Fr. 0.15037	Fr. 2’255.55
21’000	Fr. 0.15000	Fr. 3’150.00