Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 0.41078 CHF
Availability: InStock

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SSM3K357R,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM3K357RLFTR-ND - Bande et bobine SSM3K357RLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K357R,LF
Description	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SOT-23F
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3K357R,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	650mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	3V, 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,8ohms à 150mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	60 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23F
Boîtier	SOT-23-3 broches plates
Numéro de produit de base	SSM3K357