Name: SSM3K7002KF,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K7002KFLXHFTR-ND
Price: 0.29187 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SSM3K7002KF,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3K7002KFLXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3K7002KFLXHFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM3K7002KFLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K7002KF,LXHF
Description	SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 400mA (Ta) 270mW (Ta) Montage en surface S-mini
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	400mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5ohms à 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	40 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	270mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	S-mini
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3