Name: SSM5H16TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM5H16TULFTR-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

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SSM5H16TU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM5H16TULFTR-ND - Bande et bobine SSM5H16TULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM5H16TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM5H16TU,LF
Description	MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 1,9 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFV
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM5H16TU,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.9 nC @ 4 V
Série U-MOSIII	Vgs (max.) ±12V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 123 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Fonction FET Diode Schottky (isolée)
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,9 A (Ta)	Boîtier fournisseur UFV
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4V	Boîtier 6-SMD (5 sorties), sorties plates
Rds On (max.) à Id, Vgs 133mohms à 1A, 4V	Numéro de produit de base SSM5H16

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.50000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.54050

SSM5H16TU,LF