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SSM6J206FE(TE85L,F

Numéro de produit DigiKey
SSM6J206FE(TE85LFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
SSM6J206FE(TE85L,F
Description
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface ES6
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs
130mohms à 1A, 4V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 1mA
Vgs (max.)
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
335 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
ES6
Boîtier
SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base
SSM6J206
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