Name: SSM6J414TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J414TULFTR-ND
Price: 0.52969 CHF
Availability: InStock

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SSM6J414TU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6J414TULFTR-ND - Bande et bobine SSM6J414TULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6J414TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J414TU,LF
Description	MOSFET P CH 20V 6A UF6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 6 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface UF6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J414TU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	22,5mohms à 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1650 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	UF6
Boîtier	6-SMD, sorties plates
Numéro de produit de base	SSM6J414

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