Name: SSM6J502NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J502NULFTR-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

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SSM6J502NU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6J502NULFTR-ND - Bande et bobine SSM6J502NULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6J502NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J502NU,LF
Description	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 6 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface 6-UDFNB (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J502NU,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24.8 nC @ 4.5 V
Série U-MOSVI	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur 6-UDFNB (2x2)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta)	Boîtier 6-WDFN plot exposé
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Numéro de produit de base SSM6J502
Rds On (max.) à Id, Vgs 23,1mohms à 4A, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.50000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.54050

SSM6J502NU,LF