Name: SSM6J512NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J512NULFTR-ND
Price: 0.51888 CHF
Availability: InStock

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SSM6J512NU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6J512NULFTR-ND - Bande et bobine SSM6J512NULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6J512NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J512NU,LF
Description	MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 10 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface 6-UDFNB (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J512NU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVII
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 8V
Rds On (max.) à Id, Vgs	16,2mohms à 4A, 8V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1400 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,25W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-UDFNB (2x2)
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Numéro de produit de base	SSM6J512

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