Name: SSM6J808R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J808RLXHFTR-ND
Price: 1.01614 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SSM6J808R,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM6J808RLXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM6J808RLXHFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM6J808RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J808R,LXHF
Description	AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 7 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J808R,LXHF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	35mohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1020 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,5W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP-F
Boîtier	6-SMD, sorties plates
Numéro de produit de base	SSM6J808