Name: SSM6K514NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K514NULFTR-ND
Price: 0.56212 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SSM6K514NU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6K514NULFTR-ND - Bande et bobine SSM6K514NULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6K514NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6K514NU,LF
Description	MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 12 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 6-UDFNB (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6K514NU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,6mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1110 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-UDFNB (2x2)
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Numéro de produit de base	SSM6K514