Name: TK068N65Z5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK068N65Z5,S1F-ND
Price: 8.90744 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 37 A (Ta) 270W (Tc) Trou traversant TO-247

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TK068N65Z5,S1F
Numéro de produit DigiKey	264-TK068N65Z5,S1F-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK068N65Z5,S1F
Description	650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 37 A (Ta) 270W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSVI
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	37 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	68mohms à 18,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,69mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3765 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	270W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247
Boîtier	TO-247-3

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 8.24000	Fr. 8.24
30	Fr. 4.90000	Fr. 147.00
120	Fr. 4.16725	Fr. 500.07
510	Fr. 3.98300	Fr. 2’031.33

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.