Name: TK10A80E,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10A80ES4X-ND
Price: 3.17814 CHF
Availability: InStock

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TK10A80E,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK10A80ES4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK10A80E,S4X
Description	MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 10 A (Ta) 50W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK10A80E,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVIII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1ohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK10A80

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.94000	Fr. 2.94
50	Fr. 1.60320	Fr. 80.16
100	Fr. 1.49740	Fr. 149.74
500	Fr. 1.06904	Fr. 534.52
1’000	Fr. 0.99187	Fr. 991.87
2’000	Fr. 0.97000	Fr. 1’940.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.