Name: TK10E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10E60WS1VX-ND
Price: 3.95646 CHF
Availability: InStock

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TK10E60W,S1VX
Numéro de produit DigiKey	TK10E60WS1VX-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK10E60W,S1VX
Description	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 9,7 A (Ta) 100W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK10E60W,S1VX Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	380mohms à 4,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	700 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK10E60

Product Questions and Answers

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.66000	Fr. 3.66
50	Fr. 1.85640	Fr. 92.82
100	Fr. 1.77970	Fr. 177.97
500	Fr. 1.43386	Fr. 716.93
1’000	Fr. 1.36900	Fr. 1’369.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.